/ / Tranzystor IGBT STGWT80H65DFB, 1MHz, Ic 120 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, -55 → +175°C
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor IGBT STGWT80H65DFB, 1MHz, Ic 120 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, -55 → +175°C

  • Nr art.: K82957136
  • Producent: STMicroelectronics
  • Nr części producenta: STGWT80H65DFB

Opis produktu

IGBT Trench HB Series 650V 80A TO-3P - Elementy dyskretne - Tranzystory IGBT

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K82957136 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.