STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance., Typ kanału = P, Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,02 oma, Minimalne