STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance., Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,055 Ohms, Maksymal
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.