STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance., Typ kanału = P, Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,08 oma, Maksymalne