STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance., Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,04 oma, Minimalne