STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance., Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,045 oma, Maksyma