Tranzystor IGBT MMIX1X200N60B3H1, 10 → 30kHz, Ic 175 A, Uce 600 V, 24-pinowy, SMPD, kanał typu N |
IXYS |
MMIX1X200N60B3H1 |
|
Tranzystor IGBT MMIX1Y100N120C3H1, 20 → 50kHz, Ic 92 A, Uce 1200 V, 24-pinowy, SMPD, kanał typu N |
IXYS |
MMIX1Y100N120C3H1 |
|
Tranzystor IGBT MMIX1Y100N120C3H1, 20 → 50kHz, Ic 92 A, Uce 1200 V, 24-pinowy, SMPD, kanał typu N |
IXYS |
MMIX1Y100N120C3H1 |
|
Tranzystor IGBT NGB18N40ACLBT4G, 1MHz, Ic 18 A, Uce 430 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGB18N40ACLBT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB18N40ACLBT4G, 1MHz, Ic 18 A, Uce 430 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGB18N40ACLBT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8207ABNT4G, Ic 50 A, Uce 365 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8207ABNT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8207ABNT4G, Ic 50 A, Uce 365 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8207ABNT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8207BNT4G, Ic 50 A, Uce 365 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8207BNT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8207BNT4G, Ic 50 A, Uce 365 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8207BNT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8245NT4G, Ic 50 A, Uce 500 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8245NT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8245NT4G, Ic 50 A, Uce 500 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8245NT4G |
|
NGD8201ANT4G, Ic 50 A, Uce 440 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGD8201ANT4G |
|
NGD8201ANT4G, Ic 50 A, Uce 440 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGD8201ANT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB03N60R2DT4G, 1MHz, Ic 9 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB03N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB03N60R2DT4G, 1MHz, Ic 9 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB03N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB05N60R2DT4G, 1MHz, Ic 16 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB05N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB05N60R2DT4G, 1MHz, Ic 16 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB05N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB10N60R2DT4G, 1MHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB10N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB10N60R2DT4G, 1MHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB10N60R2DT4G |
|
NGTB15N120FLWG, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N120FLWG |
|