Tranzystor IGBT STGB30M65DF2, Ic 60 A, Uce 650 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGB30M65DF2 |
|
Tranzystor IGBT STGB30M65DF2, Ic 60 A, Uce 650 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGB30M65DF2 |
|
Tranzystor IGBT STGB7H60DF, Ic 14 A, Uce 600 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGB7H60DF |
|
Tranzystor IGBT STGB7H60DF, Ic 14 A, Uce 600 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGB7H60DF |
|
STGB8NC60KDT4, Ic 15 A, Uce 600 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +150°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGB8NC60KDT4 |
|
STGB8NC60KDT4, Ic 15 A, Uce 600 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +150°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGB8NC60KDT4 |
|
STGD10NC60KDT4, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +150°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGD10NC60KDT4 |
|
STGD10NC60KDT4, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +150°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGD10NC60KDT4 |
|
Tranzystor IGBT STGD18N40LZT4, 1MHz, Ic 30 A, Uce 420 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGD18N40LZT4 |
|
Tranzystor IGBT STGD18N40LZT4, 1MHz, Ic 30 A, Uce 420 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGD18N40LZT4 |
|
Tranzystor IGBT STGD19N40LZ, 1MHz, Ic 25 A, Uce 425 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGD19N40LZ |
|
Tranzystor IGBT STGD19N40LZ, 1MHz, Ic 25 A, Uce 425 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGD19N40LZ |
|
Tranzystor IGBT STGD20N40LZ, Ic 25 A, Uce 425 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGD20N40LZ |
|
Tranzystor IGBT STGD20N40LZ, Ic 25 A, Uce 425 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGD20N40LZ |
|
Tranzystor IGBT STGD5H60DF, Ic 10 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGD5H60DF |
|
Tranzystor IGBT STGD5H60DF, Ic 10 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGD5H60DF |
|
Tranzystor IGBT STGD5NB120SZT4, Ic 10 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +150°C |
STMicroelectronics |
STGD5NB120SZT4 |
|
Tranzystor IGBT STGD5NB120SZT4, Ic 10 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +150°C |
STMicroelectronics |
STGD5NB120SZT4 |
|
STGE200NB60S, Ic 200 A, Uce 600 V, 4-pinowy, ISOTOP, kanał typu N, -55 → +150°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGE200NB60S |
|
STGE200NB60S, Ic 200 A, Uce 600 V, 4-pinowy, ISOTOP, kanał typu N, -55 → +150°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGE200NB60S |
|