Mieszacz RF obniżający LT5557EUF#PBF, 16-pinowy, 600MHz, 2,9 dB, 3,3 dB, 2,9 → 3,9 V, -40 → +85°C, QFN |
Linear Technology |
LT5557EUF#PBF |
|
Mieszacz RF obniżający LT5557EUF#PBF, 16-pinowy, 600MHz, 2,9 dB, 3,3 dB, 2,9 → 3,9 V, -40 → +85°C, QFN |
Linear Technology |
LT5557EUF#PBF |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający LT5560EDD#PBF, 8-pinowy, 4000MHz, 2,7 dB, 2,7 → 5,3 V, -40 → +85°C |
Linear Technology |
LT5560EDD#PBF |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający LT5560EDD#PBF, 8-pinowy, 4000MHz, 2,7 dB, 2,7 → 5,3 V, -40 → +85°C |
Linear Technology |
LT5560EDD#PBF |
|
Mieszacz RF wzmacniający MAX2671EUT-T+, 6-pinowy, 500MHz, 11,9 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, SOT-23 |
Maxim |
MAX2671EUT-T+ |
|
Mieszacz RF wzmacniający MAX2671EUT-T+, 6-pinowy, 500MHz, 11,9 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, SOT-23 |
Maxim |
MAX2671EUT-T+ |
|
Mieszacz RF obniżający MAX2680EUT+, 6-pinowy, 500MHz, 11,6 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, SOT-23 |
Maxim |
MAX2680EUT+ |
|
Mieszacz RF obniżający MAX2680EUT+, 6-pinowy, 500MHz, 11,6 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, SOT-23 |
Maxim |
MAX2680EUT+ |
|
Mieszacz RF obniżający MAX2682EUT+, 6-pinowy, 500MHz, 14,7 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, SOT-23 |
Maxim |
MAX2682EUT+ |
|
Mieszacz RF obniżający MAX2682EUT+, 6-pinowy, 500MHz, 14,7 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, SOT-23 |
Maxim |
MAX2682EUT+ |
|
Mieszacz RF obniżający MAX2690EUB+, 10-pinowy, 500MHz, 7,9 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, μMAX |
Maxim |
MAX2690EUB+ |
|
Mieszacz RF obniżający MAX2690EUB+, 10-pinowy, 500MHz, 7,9 dB, 2,7 → 5,5 V, -40 → +85°C, μMAX |
Maxim |
MAX2690EUB+ |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający SA602AD/01,112, 8-pinowy, 17 dB, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C, SOIC |
NXP |
SA602AD/01,112 |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający SA602AD/01,112, 8-pinowy, 17 dB, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C, SOIC |
NXP |
SA602AD/01,112 |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający SA604AD, 16-pinowy, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C, SOIC |
NXP |
SA604AD |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający SA604AD, 16-pinowy, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C, SOIC |
NXP |
SA604AD |
|
Mieszacz RF SA604AD/01,112, 16-pinowy, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C, SOIC |
NXP |
SA604AD/01,112 |
|
Mieszacz RF SA604AD/01,112, 16-pinowy, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C, SOIC |
NXP |
SA604AD/01,112 |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający SA605D/01,112, 20-pinowy, 0.455MHz, 15 dB, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C |
NXP |
SA605D/01,112 |
|
Mieszacz RF wzmacniający/obniżający SA605D/01,112, 20-pinowy, 0.455MHz, 15 dB, 4,5 → 8 V, -40 → +85°C |
NXP |
SA605D/01,112 |
|