Tranzystor IGBT NGB8207BNT4G, Ic 50 A, Uce 365 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8207BNT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8245NT4G, Ic 50 A, Uce 500 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8245NT4G |
|
Tranzystor IGBT NGB8245NT4G, Ic 50 A, Uce 500 V, 4-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGB8245NT4G |
|
NGD8201ANT4G, Ic 50 A, Uce 440 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGD8201ANT4G |
|
NGD8201ANT4G, Ic 50 A, Uce 440 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, -55 → +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGD8201ANT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB03N60R2DT4G, 1MHz, Ic 9 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB03N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB03N60R2DT4G, 1MHz, Ic 9 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB03N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB05N60R2DT4G, 1MHz, Ic 16 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB05N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB05N60R2DT4G, 1MHz, Ic 16 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB05N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB10N60R2DT4G, 1MHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB10N60R2DT4G |
|
Tranzystor IGBT NGTB10N60R2DT4G, 1MHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, DPAK, kanał typu N, Maks. +175°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB10N60R2DT4G |
|
NGTB15N120FLWG, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N120FLWG |
|
NGTB15N120FLWG, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N120FLWG |
|
NGTB15N120IHLWG, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N120IHLWG |
|
NGTB15N120IHLWG, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N120IHLWG |
|
Tranzystor IGBT NGTB15N120IHWG, 1MHz, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -40 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTB15N120IHWG |
|
Tranzystor IGBT NGTB15N120IHWG, 1MHz, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -40 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTB15N120IHWG |
|
NGTB15N120LWG, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N120LWG |
|
NGTB15N120LWG, Ic 30 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N120LWG |
|
NGTB15N60EG, Ic 30 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTB15N60EG |
|