Produkty: 1844 · Strona 12 z 93
| Kod producenta | Produkt | Nr art. |
|---|---|---|
| DF3A5.6LFU(TE85L,F | Dioda DF3A5.6LFU(TE85L,F SOT-323 2-Pin | 891-2730 |
| DF3A5.6LFU(TE85L,F | Dioda DF3A5.6LFU(TE85L,F SOT-323 2-Pin | 891-2730P |
| DF5A6.2F(F) | Diode ESD Vz=6.2V +/-30kV | 362-424 |
| DF5A6.8F(F) | Diode ESD Vz=6.8V +/-30kV | 362-434 |
| GT15J341 | Tranzystor IGBT GT15J341, 100kHz, Ic 15 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba | 796-5046 |
| GT15J341 | Tranzystor IGBT GT15J341, 100kHz, Ic 15 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba | 796-5046P |
| GT20J341 | Tranzystor IGBT GT20J341, 100kHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba | 796-5055 |
| GT20J341 | Tranzystor IGBT GT20J341, 100kHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba | 796-5055P |
| GT30J121 | Tranzystor IGBT GT30J121, 1MHz, Ic 30 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba | 796-5058 |
| GT30J121 | Tranzystor IGBT GT30J121, 1MHz, Ic 30 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba | 796-5058P |
| GT30J121(Q) | IGBT 600V 30A | 184-543 |
| GT30J341,Q(O | Tranzystor IGBT GT30J341,Q(O, 0.4μs, Ic 59 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 891-2734 |
| GT30J341,Q(O | Tranzystor IGBT GT30J341,Q(O, 0.4μs, Ic 59 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 891-2734P |
| GT40QR21,F(O | Tranzystor IGBT GT40QR21,F(O, 0.4μs, Ic 40 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 891-2743 |
| GT40QR21,F(O | Tranzystor IGBT GT40QR21,F(O, 0.4μs, Ic 40 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 891-2743P |
| GT40RR21 | Tranzystor IGBT GT40RR21, 1MHz, Ic 40 A, Uce 1350 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 796-5052 |
| GT40RR21 | Tranzystor IGBT GT40RR21, 1MHz, Ic 40 A, Uce 1350 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 796-5052P |
| GT40WR21,Q(O | Tranzystor IGBT GT40WR21,Q(O, 0.55μs, Ic 40 A, Uce 1800 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 891-2746 |
| GT40WR21,Q(O | Tranzystor IGBT GT40WR21,Q(O, 0.55μs, Ic 40 A, Uce 1800 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba | 891-2746P |
| GT50J121(Q) | IGBT 600V 50A | 184-559 |
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.