Tranzystor IGBT FGY75N60SMD, Ic 150 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
FGY75N60SMD |
|
FII30-06D, Ic 30 A, Uce 600 V, 5-pinowy, ISOPLUS-I4-PAC, kanał typu N, -55 → +150°C, IXYS |
IXYS |
FII30-06D |
|
Tranzystor IGBT GT15J341, 100kHz, Ic 15 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba |
Toshiba |
GT15J341 |
|
Tranzystor IGBT GT15J341, 100kHz, Ic 15 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba |
Toshiba |
GT15J341 |
|
Tranzystor IGBT GT20J341, 100kHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba |
Toshiba |
GT20J341 |
|
Tranzystor IGBT GT20J341, 100kHz, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220SIS, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba |
Toshiba |
GT20J341 |
|
Tranzystor IGBT GT30J121, 1MHz, Ic 30 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba |
Toshiba |
GT30J121 |
|
Tranzystor IGBT GT30J121, 1MHz, Ic 30 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +150°C, Toshiba |
Toshiba |
GT30J121 |
|
IGBT 600V 30A |
Toshiba |
GT30J121(Q) |
|
Tranzystor IGBT GT30J341,Q(O, 0.4μs, Ic 59 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT30J341,Q(O |
|
Tranzystor IGBT GT30J341,Q(O, 0.4μs, Ic 59 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT30J341,Q(O |
|
Tranzystor IGBT GT40QR21,F(O, 0.4μs, Ic 40 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT40QR21,F(O |
|
Tranzystor IGBT GT40QR21,F(O, 0.4μs, Ic 40 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT40QR21,F(O |
|
Tranzystor IGBT GT40RR21, 1MHz, Ic 40 A, Uce 1350 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT40RR21 |
|
Tranzystor IGBT GT40RR21, 1MHz, Ic 40 A, Uce 1350 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT40RR21 |
|
Tranzystor IGBT GT40WR21,Q(O, 0.55μs, Ic 40 A, Uce 1800 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT40WR21,Q(O |
|
Tranzystor IGBT GT40WR21,Q(O, 0.55μs, Ic 40 A, Uce 1800 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT40WR21,Q(O |
|
IGBT 600V 50A |
Toshiba |
GT50J121(Q) |
|
Tranzystor IGBT GT50J342,Q(O, 0.38μs, Ic 80 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50J342,Q(O |
|
Tranzystor IGBT GT50J342,Q(O, 0.38μs, Ic 80 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50J342,Q(O |
|