Tranzystor IGBT GT50JR21, 1MHz, Ic 50 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50JR21 |
|
Tranzystor IGBT GT50JR21, 1MHz, Ic 50 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50JR21 |
|
Tranzystor IGBT GT50JR22, 1MHz, Ic 50 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50JR22 |
|
Tranzystor IGBT GT50JR22, 1MHz, Ic 50 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50JR22 |
|
Tranzystor IGBT GT50MR21,Q(O, 0.4μs, Ic 50 A, Uce 900 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50MR21,Q(O |
|
Tranzystor IGBT GT50MR21,Q(O, 0.4μs, Ic 50 A, Uce 900 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50MR21,Q(O |
|
Tranzystor IGBT GT50NR21,Q(O, 0.45μs, Ic 50 A, Uce 1050 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50NR21,Q(O |
|
Tranzystor IGBT GT50NR21,Q(O, 0.45μs, Ic 50 A, Uce 1050 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT50NR21,Q(O |
|
IGBT 600V 60A |
Toshiba |
GT60J323(Q) |
|
Tranzystor IGBT GT60PR21,STA1F(S, 0.6μs, Ic 60 A, Uce 1100 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT60PR21,STA1F(S |
|
Tranzystor IGBT GT60PR21,STA1F(S, 0.6μs, Ic 60 A, Uce 1100 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +175°C, Toshiba |
Toshiba |
GT60PR21,STA1F(S |
|
HGT1S10N120BNST, 1MHz, Ic 80 A, Uce 1200 V, 2+Tab-pinowy, TO-263AB, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGT1S10N120BNST |
|
HGT1S10N120BNST, 1MHz, Ic 80 A, Uce 1200 V, 2+Tab-pinowy, TO-263AB, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGT1S10N120BNST |
|
Tranzystor IGBT HGTG18N120BND, Ic 54 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGTG18N120BND |
|
Tranzystor IGBT HGTG18N120BND, Ic 54 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGTG18N120BND |
|
HGTG20N60A4, Ic 70 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGTG20N60A4 |
|
HGTG20N60A4, Ic 70 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGTG20N60A4 |
|
HGTG20N60A4D, Ic 70 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGTG20N60A4D |
|
HGTG20N60A4D, Ic 70 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGTG20N60A4D |
|
HGTG30N60A4, Ic 75 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
HGTG30N60A4 |
|