| Tranzystor IGBT NGTB60N65FL2WG, Ic 100 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTB60N65FL2WG |
|
| Tranzystor IGBT NGTB60N65FL2WG, Ic 100 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTB60N65FL2WG |
|
| Tranzystor IGBT NGTB75N60SWG, 1MHz, Ic 100 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTB75N60SWG |
|
| Tranzystor IGBT NGTB75N60SWG, 1MHz, Ic 100 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTB75N60SWG |
|
| Moduł tranzystorowy IGBT NGTG12N60TF1G, Ic 88 A (impuls), Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3PF, kanał typu N, Maks. +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG12N60TF1G |
|
| Moduł tranzystorowy IGBT NGTG12N60TF1G, Ic 88 A (impuls), Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3PF, kanał typu N, Maks. +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG12N60TF1G |
|
| NGTG15N60S1EG, Ic 30 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTG15N60S1EG |
|
| NGTG15N60S1EG, Ic 30 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220, kanał typu N, -55 → +150°C, ON Semiconductor |
ON Semiconductor |
NGTG15N60S1EG |
|
| Moduł tranzystorowy IGBT NGTG20N60L2TF1G, Ic 105 A (Impuls), Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3PF, kanał typu N, Maks. +175°C |
ON Semiconductor |
NGTG20N60L2TF1G |
|
| Moduł tranzystorowy IGBT NGTG20N60L2TF1G, Ic 105 A (Impuls), Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3PF, kanał typu N, Maks. +175°C |
ON Semiconductor |
NGTG20N60L2TF1G |
|
| Tranzystor IGBT NGTG30N60FLWG, 1MHz, Ic 60 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG30N60FLWG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG30N60FLWG, 1MHz, Ic 60 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG30N60FLWG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG30N60FWG, 1MHz, Ic 60 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG30N60FWG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG30N60FWG, 1MHz, Ic 60 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG30N60FWG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG30N60FWG, 1MHz, Ic 60 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG30N60FWG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG35N65FL2WG, Ic 70 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTG35N65FL2WG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG35N65FL2WG, Ic 70 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +175°C |
ON Semiconductor |
NGTG35N65FL2WG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG50N60FWG, 1MHz, Ic 100 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG50N60FWG |
|
| Tranzystor IGBT NGTG50N60FWG, 1MHz, Ic 100 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C |
ON Semiconductor |
NGTG50N60FWG |
|
| IGBT,600V,80A,TO-3P |
Renesas Electronics |
RJH60D6DPK-00#T0 |
|
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.
