Tranzystor IGBT RJH60F7ADPK-00#T0, Ic 90 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-3P, kanał typu N, Maks. +150°C, Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
RJH60F7ADPK-00#T0 |
|
RJH65S04DPQ-A0, Ic 100 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247A, kanał typu N, -55 → +150°C, Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
RJH65S04DPQ-A0 |
|
RJH65S04DPQ-A0, Ic 100 A, Uce 650 V, 3-pinowy, TO-247A, kanał typu N, -55 → +150°C, Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
RJH65S04DPQ-A0 |
|
Tranzystor IGBT RJP4010AGE-01#P5, Ic 150 A (impuls), Uce 400 V, 8-pinowy, TSOJ, kanał typu N, -40 → +150°C |
Renesas Electronics |
RJP4010AGE-01#P5 |
|
Tranzystor IGBT RJP4010AGE-01#P5, Ic 150 A (impuls), Uce 400 V, 8-pinowy, TSOJ, kanał typu N, -40 → +150°C |
Renesas Electronics |
RJP4010AGE-01#P5 |
|
SGD02N120, Ic 6,2 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-252, kanał typu N, -55 → +150°C, Infineon |
Infineon |
SGD02N120 |
|
SGD02N120, Ic 6,2 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-252, kanał typu N, -55 → +150°C, Infineon |
Infineon |
SGD02N120 |
|
Tranzystor IGBT SGL160N60UFDTU, Ic 160 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-264, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
SGL160N60UFDTU |
|
Tranzystor IGBT SGL160N60UFDTU, Ic 160 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-264, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
SGL160N60UFDTU |
|
Tranzystor IGBT SGP02N120, 1MHz, Ic 2 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-220, kanał typu N, -55 → +150°C, Infineon |
Infineon |
SGP02N120 |
|
Tranzystor IGBT SGP02N120, 1MHz, Ic 2 A, Uce 1200 V, 3-pinowy, TO-220, kanał typu N, -55 → +150°C, Infineon |
Infineon |
SGP02N120 |
|
SGP23N60UFTU, 1MHz, Ic 23 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
SGP23N60UFTU |
|
SGP23N60UFTU, 1MHz, Ic 23 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-220, kanał typu N, -55 → +150°C Fairchild |
Fairchild Semiconductor |
SGP23N60UFTU |
|
SGW30N60, Ic 41 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, Infineon |
Infineon |
SGW30N60 |
|
SGW30N60, Ic 41 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, Infineon |
Infineon |
SGW30N60 |
|
SKW20N60, Ic 40 A, Uce 600 V, 3-pinowy, TO-247, kanał typu N, -55 → +150°C, Infineon |
Infineon |
SKW20N60 |
|
Tranzystor IGBT STGB10H60DF, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGB10H60DF |
|
Tranzystor IGBT STGB10H60DF, Ic 20 A, Uce 600 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C, STMicroelectronics |
STMicroelectronics |
STGB10H60DF |
|
Tranzystor IGBT STGB10M65DF2, Ic 20 A, Uce 650 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGB10M65DF2 |
|
Tranzystor IGBT STGB10M65DF2, Ic 20 A, Uce 650 V, 3-pinowy, D2PAK, kanał typu N, -55 → +175°C |
STMicroelectronics |
STGB10M65DF2 |
|